臺積電美國5nm芯片廠取得突破:成美最先進半導體工藝
臺積電在美國建設的5nm晶圓廠日前取得了重要進展,位于美國亞利桑那州的Fab 21工廠舉行了上梁典禮。
據(jù)臺積電介紹,這次的上梁典禮約有4000多名臺積電員工及合作伙伴參加,他們一起慶祝了臺積電5nm工廠的里程碑,這意味著工廠的基礎設施差不多完工,后面就是要安裝設備、調試了。
按照臺積電的規(guī)劃,這座芯片工廠將于2024年正式量產(chǎn),第一期月產(chǎn)能約為2萬晶圓,以5nm工藝為主,這將是美國最先進的半導體工藝。
不過臺積電在美國建5nm芯片廠的做法也不是沒有代價,那就是成本太高,此前已經(jīng)退休的臺積電創(chuàng)始人張忠謀認為美國試圖增加其國內芯片產(chǎn)量的是浪費而且昂貴的徒勞之舉。
張忠謀認為,美國缺乏在晶圓廠工作的人才,而且也不像臺灣的芯片工廠那樣可以三班倒以實現(xiàn)7x24小時生產(chǎn),還有就是美國無法在成本上無法競爭,在美國制造芯片的成本比臺灣高50%。
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