近日擁有ASML公司的荷蘭正式官宣，將斥資11億歐元研發(fā)下一代芯片技術(shù)光子芯片，為何荷蘭也在投入芯片新技術(shù)的研發(fā)，原因是隨著芯片制造技術(shù)日益接近天花板，全球都已展開了芯片新技術(shù)的研發(fā)。

　　一、芯片技術(shù)變革

　　當(dāng)下的芯片基本上都是硅芯片，通過更先進(jìn)的工藝提升芯片性能，20多年來，芯片制造工藝從微米技術(shù)發(fā)展到納米技術(shù)，當(dāng)前正在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)，這已越來越接近原子的0.1納米，可以預(yù)期以硅作為芯片材料終究會(huì)達(dá)到極限。

　　事實(shí)上目前的芯片制造工藝就有人認(rèn)為臺(tái)積電和三星玩了數(shù)字游戲，它們的芯片制造工藝與之前的納米、微米技術(shù)命名規(guī)則發(fā)生了重大改變，Intel也拿出了數(shù)據(jù)指出臺(tái)積電和三星的10nm、7nm工藝分別對(duì)應(yīng)于Intel的14nm、10nm工藝，在名字方面取巧，而并非遵從此前的芯片制造工藝命名規(guī)則，因此芯片制造工藝性能提升幅度遠(yuǎn)無法達(dá)到預(yù)期。

　　工藝制程的進(jìn)展面臨困難，促使芯片行業(yè)開展了芯片新技術(shù)的研發(fā)，全球開始研發(fā)碳基芯片，碳基芯片可以做到更先進(jìn)的工藝，同時(shí)碳基芯片的功耗比硅基芯片更低，碳基芯片的功耗只有硅基芯片的十分之一左右。

　　除了研發(fā)碳基芯片之外，全球還在研發(fā)量子芯片、光子芯片，或者將這兩項(xiàng)技術(shù)合為光量子芯片，其中美國(guó)的谷歌早在2019年測(cè)試量子計(jì)算而宣稱獲得“量子霸權(quán)”，然而卻遭到了科技巨頭IBM的質(zhì)疑，最終該項(xiàng)技術(shù)未獲得科學(xué)界承認(rèn)。

　　中國(guó)也在推進(jìn)碳基芯片、量子芯片、光子芯片的技術(shù)研發(fā)，力求跟上全球的腳步。歐洲、美國(guó)和中國(guó)是全球三大經(jīng)濟(jì)體，在美國(guó)和中國(guó)都在展開芯片新技術(shù)研發(fā)的情況下，歐洲當(dāng)然不甘落后，而荷蘭作為歐洲經(jīng)濟(jì)體之一自然也按照歐盟的布局展開芯片新技術(shù)的研發(fā)。

　　二、ASML可能被拋棄

　　上述說到的碳基芯片、量子芯片、光子芯片等先進(jìn)的芯片技術(shù)離商用還很遠(yuǎn)，暫時(shí)對(duì)于ASML的光刻機(jī)業(yè)務(wù)影響還比較小，不過當(dāng)下正在推進(jìn)的芯片制造技術(shù)變革卻已對(duì)ASML產(chǎn)生實(shí)實(shí)在在的影響。

　　首先是日本已經(jīng)商用的NIL技術(shù)，該技術(shù)完全舍棄了ASML的光刻機(jī)。日本研發(fā)無需ASML光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)，則是因?yàn)镋UV光刻機(jī)的成本太高了，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)高達(dá)1.5億美元，而下一代更精準(zhǔn)的EUV光刻機(jī)售價(jià)可望進(jìn)一步提高到3億美元，昂貴的EUV光刻機(jī)讓日本企業(yè)難以接受，它們因此而在數(shù)年前就開始研發(fā)無需ASML光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)。2020年成功研發(fā)出納米壓印微影(NIL)技術(shù)，并已應(yīng)用于Kioxia公司的NAND flash芯片生產(chǎn)中。

　　其次是北方某國(guó)計(jì)劃以X射線進(jìn)行光刻，它早就在研究無掩模X射線光刻機(jī)，此舉具有一定的可行性，因?yàn)樗牟ㄩL(zhǎng)比ASML所采用極紫外線還要短，X射線波長(zhǎng)基于0.01nm至10nm之間，而EUV極紫外線波長(zhǎng)長(zhǎng)度為13.5nm，X射線光刻機(jī)無需光掩模就可以直接光刻，此舉可以大幅降低芯片制造成本，同時(shí)在精準(zhǔn)度方面也更高。

　　再次是當(dāng)前大量采用光刻機(jī)的臺(tái)積電、Intel、三星等正在推進(jìn)的Chiplet技術(shù)，該技術(shù)旨在利用現(xiàn)有的芯片制造工藝，通過封裝技術(shù)的變革，以成熟工藝開發(fā)出性能與先進(jìn)工藝相當(dāng)?shù)男酒?，臺(tái)積電推出的3D WOW技術(shù)為英國(guó)公司生產(chǎn)的芯片就以7nm工藝輔以3D WOW技術(shù)大幅提升性能，性能提升幅度達(dá)到四成，超過5nm工藝的性能提升幅度，而且成本更低。

　　中國(guó)則延續(xù)了當(dāng)下的芯片制造技術(shù)方向，據(jù)悉中芯國(guó)際即將以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7nm工藝，這個(gè)技術(shù)其實(shí)已由臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)，此前臺(tái)積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)的，后來再升級(jí)至7nmEUV，7nm工藝將足以滿足中國(guó)多數(shù)芯片的需求。同時(shí)華為研發(fā)的芯片堆疊技術(shù)，也可歸類為Chiplet技術(shù)，與7nm工藝相結(jié)合可望達(dá)到5nm工藝的性能。

　　北方某國(guó)和日本推進(jìn)的芯片制造技術(shù)已完全拋棄了ASML的光刻機(jī)，臺(tái)積電、Intel等和中國(guó)大陸芯片行業(yè)推進(jìn)的技術(shù)則無需再大舉采購(gòu)ASML先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，這都將對(duì)ASML的業(yè)績(jī)?cè)斐芍卮蟠驌?，而面向未來的碳基芯片、光子芯片、量子芯片等更是完全拋棄了光刻機(jī)，可以說ASML的好日子已到了結(jié)束的時(shí)候。