中天弘宇集成電路有限責任公司(簡稱：中天弘宇)于2021年8月22日在上海召開“自主原創(chuàng)先進存儲技術”暨90nm BCD工藝平臺上的MTP IP產(chǎn)品的發(fā)布會。中國工程院院士倪光南等專家，上海市、浦東新區(qū)等有關部門，國際半導體協(xié)會等行業(yè)組織，上?？苿?chuàng)投、張江集團、浦東科創(chuàng)等有關方面，華虹集團、上海集成電路研發(fā)中心、新思科技、瑞薩電子、恩智浦、博世，南芯半導體、英唐智控、華大半導體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等一批產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)及投資機構，參加了中天弘宇本次的技術發(fā)布會。

　　倪光南院士在視頻致辭中，高度評價中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術是一項重大發(fā)明，實現(xiàn)了中國存儲器底層技術零的突破。希望中天弘宇與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力，設計創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品，提高自主原創(chuàng)存儲器的市場份額，解決存儲器的被動局面。南芯半導體、英唐智控、華大半導體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等集成電路企業(yè)表示了對中天弘宇先進存儲技術的持續(xù)關注和合作意愿。

　　中天弘宇張佳董事長回顧中天弘宇進入集成電路行業(yè)七年來的奮斗歷程，對方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹先生介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義，以及與傳統(tǒng)技術的區(qū)別及優(yōu)勢，并對中天弘宇未來技術及產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃做了介紹。

　　本次發(fā)布會還邀請新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會中國區(qū)總裁居龍、南芯半導體市場總監(jiān)劉崇和資深工藝專家官浩等，共同研討了國內(nèi)先進存儲技術和產(chǎn)業(yè)化進展狀況，針對產(chǎn)業(yè)鏈融合、工藝實現(xiàn)、市場推廣、融資策略等方面，提出了真知灼見。

　　技術優(yōu)勢及背景資料

　　中天弘宇創(chuàng)造性地對閃存存儲進行了重構，突破了20多年來阻礙閃存存儲技術縮微擴容發(fā)展的瓶頸，使得其在同樣的工藝條件下，可以做到大容量、小面積、低功耗，且有效的解決大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲、運行一體化的技術性難題，為人工智能、AI、新型FPGA等發(fā)展，提供可靠、高效的存儲技術解決方案。

　　中天弘宇以“二次電子倍增注入浮柵”原理為基礎，以自主、原創(chuàng)、可控的知識產(chǎn)權專利發(fā)明為契機，實現(xiàn)了中國存儲芯片領域原創(chuàng)專利“零的突破”，并進一步拓展應用領域及國際市場，協(xié)同EDA工具、應用設計、制造、封裝、測試一體化發(fā)展，為全球數(shù)字信息化浪潮提供優(yōu)質(zhì)的存儲及存算一體化解決方案。

　　中天弘宇研發(fā)成功的新型快閃存儲器具有以下突出的特性和前景：

　　■ 完整自主知識產(chǎn)權體系

　　■ 先進高效閃存研發(fā)成果

　　■ 創(chuàng)新存算一體解決方案

　　■ 關鍵環(huán)節(jié)配合協(xié)同發(fā)展

　　中天弘宇充分運用“二次電子倍增注入浮柵” 的物理現(xiàn)象，并利用其進行了創(chuàng)新結構設計，初步構建了擁有國內(nèi)、國際完整自主知識產(chǎn)權專利的系列新型高性能快閃存儲器產(chǎn)品，“在非易失存儲領域?qū)賴H首創(chuàng)技術”。該項發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區(qū)申請了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設在不斷完善之中。

　　中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術是一項前所未有的創(chuàng)新實踐，先進存儲技術在90nm技術節(jié)點流片成功是一個重要的里程碑。中天弘宇還將進一步積聚集成電路全行業(yè)工程技術專家的智慧，爭取應用和市場持續(xù)不斷的支持，開拓存儲技術的運用范圍，擴大存儲器系列產(chǎn)品，為國家創(chuàng)造更多自主原創(chuàng)技術和產(chǎn)品。