ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。憑借其獨特的TWINSCAN(雙工件臺)架構(gòu)，ASML的i-line和KrF光刻機能提供最卓越的性能、市場上最高的生產(chǎn)效率以及最低的成本， 雙工件臺技術(shù)架構(gòu)已經(jīng)成為全球300mm和200mm晶圓量產(chǎn)生產(chǎn)線中的先進光刻技術(shù)代表 。

　　據(jù)了解，英諾賽科將在今年第二季度搬入首批光刻機，這是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域首次量產(chǎn)應(yīng)用先進的ASML TWINSCAN(雙工件臺)光刻技術(shù)，這一實施標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)正式進入了一個全新的紀(jì)元。

　　功率器件和電路可以通過高開關(guān)頻率和高功率密度來實現(xiàn)高效的能源管理， 這些功能可以廣泛用于快速增長的新興市場如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和下一代無線通訊網(wǎng)絡(luò)等。除較小的外形尺寸外，由于其高頻率、高功率密度等特性，硅基氮化鎵還是快速充電，直流電網(wǎng)，新能源汽車等市場理想選擇。“第三代半導(dǎo)體”材料包括氮化鎵(GaN) 、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、金剛石和氧化鋅(ZnO)，而氮化鎵(GaN)是“第三代半導(dǎo)體”材料的典型代表，具有廣闊的市場應(yīng)用前景。

　　英諾賽科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片制造的企業(yè)。 公司成功建成投產(chǎn)全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。英諾賽科產(chǎn)品的設(shè)計與性能均達到國際最先進水平，并已廣泛應(yīng)用于PD快充、立體(3D)相機、移動電子設(shè)備(包括智能手機、筆記本電腦、平板電腦)等領(lǐng)域。

　　昨日，在珠海舉行的簽約儀式上，英諾賽科CEO 孫在亨先生 說：“我非常榮幸的宣布英諾賽科與ASML達成合作協(xié)議，我們將在一起努力用氮化鎵技術(shù)改變未來。作為一家致力于推動第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新革命的企業(yè)，我們需要與像ASML這樣全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍的企業(yè)合作，采用更加先進的制造工藝，實現(xiàn)更加高的性能、良率和產(chǎn)出，在快速成長的各種應(yīng)用領(lǐng)域共同推出最先進的解決方案以及下個世代的氮化鎵器件，為我們的客戶、伙伴和消費者創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品和服務(wù)。第三代半導(dǎo)體是一次產(chǎn)業(yè)革命性的升級，變革從不簡單，它需要我們攜手共進，攜手共進我們將實現(xiàn)合作共贏。

　　ASML全球副總裁、中國區(qū)總裁沈波表示：“我們很高興成為英諾賽科的合作伙伴，第三代半導(dǎo)體在全球市場有廣闊的應(yīng)用前景，阿斯麥會全力提供光刻解決方案和服務(wù)，支持英諾賽科在這一領(lǐng)域的發(fā)展。”

　　“我們應(yīng)用在200mm晶圓生產(chǎn)線上的 XT平臺，包括i-line、KrF和干式ArF等光刻機，是快速增長的硅基氮化鎵市場的理想長期解決方案，不僅在生產(chǎn)率和成本方面是這樣， 隨著氮化鎵(GaN)材料在新領(lǐng)域的應(yīng)用，套準(zhǔn)精度和成像要求也會隨著時間的推移而擴展。” ASML 深紫外光刻業(yè)務(wù)產(chǎn)品營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)高級總監(jiān)Toni Mesquida Kuesters說: “我們致力于幫助英諾賽科實現(xiàn)其預(yù)期目標(biāo)，并期待卓有成效的合作?！?/p>