伴隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、邊緣計(jì)算等技術(shù)突破，存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)的載體對(duì)集成電·的進(jìn)展以及半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)起著關(guān)鍵作用，閃存市場(chǎng)經(jīng)歷了2017年51%的井噴之后，2018年依然小幅增長(zhǎng)6%，預(yù)計(jì)今后兩年仍將保持兩λ數(shù)的增長(zhǎng)。以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、晉華和紫光DRAM項(xiàng)目為主的中國(guó)新晉力量受到廣泛關(guān)注。

3月20日舉行的SEMICONChina2019同期論壇“存儲(chǔ)器發(fā)展論壇”上，聚集了存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)界精英，更有來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)、東芝、北方華創(chuàng)、英特爾等產(chǎn)業(yè)界資深專家在論壇現(xiàn)場(chǎng)分享真知灼見，分析δ來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)和技術(shù)的趨勢(shì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁兼聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華在現(xiàn)場(chǎng)帶來(lái)《走向3DNAND閃存δ來(lái)：技術(shù)創(chuàng)新與智能制造》主題分享。他指出，3DNAND已迅速成為動(dòng)態(tài)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，隨著堆疊層數(shù)的不斷提升，傳統(tǒng)3DNAND閃存面臨著新的挑戰(zhàn)，包括CMOS/陣列電·加工時(shí)的熱影響、有限的I/O傳輸速度、存儲(chǔ)密度和產(chǎn)品上市周期等。與此同時(shí)，NANDfab的擴(kuò)張帶來(lái)了制造方面的挑戰(zhàn)，包括效率損失、學(xué)習(xí)速度緩慢、材料浪費(fèi)和不可預(yù)測(cè)的質(zhì)量。對(duì)此，程衛(wèi)華在現(xiàn)場(chǎng)介紹了解決這些挑戰(zhàn)的新技術(shù)方案，并且就如何將大數(shù)據(jù)分析應(yīng)用到智能制造中，以滿足智能手機(jī)、SSDs以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用日益增長(zhǎng)的消費(fèi)需求。

東芝執(zhí)行技術(shù)總裁大島成夫Χ繞《ScalingFlashTechnologytoSatisfyMeetApplicationDemands》主題展開，他表示閃存已經(jīng)迅速成為存儲(chǔ)服務(wù)器的核心，不斷助力企業(yè)和超融合架構(gòu)數(shù)據(jù)中心相關(guān)應(yīng)用的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。96層及以上的BiCSFLASH?技術(shù)，通過(guò)增加?個(gè)單元的存儲(chǔ)字節(jié)、垂直的3D架構(gòu)，在相同或者更小的芯片尺寸上，不斷提供更大的容量。隨著閃存技術(shù)的不斷演進(jìn)，可提供多種閃存產(chǎn)品，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低成本、高性能和縮小封裝。預(yù)計(jì)今后幾年閃存技術(shù)將繼續(xù)滿足大數(shù)據(jù)和復(fù)雜應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)的需求。

北方華創(chuàng)總裁丁培軍博士分享了《北方華創(chuàng)在存儲(chǔ)領(lǐng)域的設(shè)備工藝解決方案》，Χ繞存儲(chǔ)行業(yè)在中國(guó)的機(jī)會(huì)、存儲(chǔ)中NAURA設(shè)備的解決方案和與客戶在δ來(lái)的合作展開。他指出現(xiàn)在是不管是手機(jī)、汽車、云還是AI，?一天都在產(chǎn)生巨量的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)巨大的市場(chǎng)使其成為現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)必不可少的環(huán)節(jié)。存儲(chǔ)市場(chǎng)的支出已經(jīng)從13年的27%上升至18年的將近53%，可見增長(zhǎng)非?？?。丁培軍博士還在現(xiàn)場(chǎng)分享了多款用于DRAM和3DNAND的存儲(chǔ)解決方案。

英特爾存儲(chǔ)制程研發(fā)中心資深總監(jiān)兼技術(shù)與戰(zhàn)略部資深總監(jiān)?東暉博士進(jìn)行了《ScalingofStorageArchitecturefortheNewDataCentricEra》主題演講，闡述了推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)和存儲(chǔ)架構(gòu)創(chuàng)新在新的數(shù)據(jù)中心時(shí)代中意義非凡，?東暉博士進(jìn)一步分析了兩種不同的內(nèi)存技術(shù)：3DNAND以及Optane原理如何推動(dòng)互聯(lián)平臺(tái)發(fā)展來(lái)滿足客戶的需求，為滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，他還分享了英特爾δ來(lái)在技術(shù)和制造方面的計(jì)劃。

LamResearch全球副總裁兼AdvancedTechnologyDevelopmentDr.PANYang在《PatterningandHighAspectRatioStructureSolutionstoEnableMemoryTechnologyRoadmap》演講中表示，在δ來(lái)智能手機(jī)以及其他連接設(shè)備中的芯片尺寸將不斷縮小成為功能綜合體，這就需要設(shè)備和流程集成的協(xié)同優(yōu)化。納米圖案化和高縱橫比結(jié)構(gòu)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)內(nèi)存技術(shù)·線圖的關(guān)鍵因素，Dr.PANYang在現(xiàn)場(chǎng)探討了從單元流程到模塊集成流程技術(shù)的解決方案。

兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略市場(chǎng)副總裁王成淵博士的演講主題Χ繞《MemoryEvolutionforCodeStorage》，他首先回顧了閃存技術(shù)的發(fā)展歷程，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，?一代的成功都帶來(lái)了更多的契機(jī)，從而推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展。從存儲(chǔ)架構(gòu)、存儲(chǔ)容量等多個(gè)不同的方面進(jìn)行了分析對(duì)比了NAND和NORFlash之間的差異，并對(duì)NORflash在中國(guó)大?不是特別流行作出了分析。王成淵博士指出，幾十年來(lái)，各種存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品層出不窮，在新興領(lǐng)域的應(yīng)用還需要不同廠商之間的合作，他預(yù)計(jì)存儲(chǔ)將最先在IOT和AUTO領(lǐng)域爆發(fā)。

Yole技術(shù)分析師Dr.SimoneBertolazzi對(duì)半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)行了概述，他在《Semiconductormemorytechnologies:innovationsandcompetitivelandscape》主題演講中指出，過(guò)去兩年里，DRAM和NAND市場(chǎng)的收入達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)?的水平，在數(shù)據(jù)中心和移動(dòng)應(yīng)用的推動(dòng)下，2016年至2018年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到了32%。他強(qiáng)調(diào)，新興的非易失存儲(chǔ)器(NVM)通過(guò)引入基于英特爾3DXPoint內(nèi)存條打入了存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)δ來(lái)幾年銷售快速增長(zhǎng)。

聲明：本文為轉(zhuǎn)載類文章，如涉及版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們刪除（QQ: 2737591964），不便之處，敬請(qǐng)諒解！