急劇下跌的存儲器價格、中美之間的貿(mào)易緊張關(guān)系，再加上各大存儲器廠商在策略應(yīng)對上因為貿(mào)易戰(zhàn)火所大刀砍下的資本支出預(yù)算，尤其是在先進制程領(lǐng)域的存儲器制造商，甚至包括大陸晶圓廠以及部分7納米制程先進制程節(jié)點擴產(chǎn)計劃。

業(yè)內(nèi)人士原本預(yù)期2019年能夠再創(chuàng)另一個打破紀錄的好光景，然而如今無論是存儲器領(lǐng)域展望還是大陸半導體產(chǎn)業(yè)均已激起層層走跌的浪花。

在全球存儲器產(chǎn)業(yè)方面，隨著NANDFlash價格從2018年上半節(jié)節(jié)下滑以來，隨后到了2018年第4季，DRAM價格也開始出現(xiàn)疲軟困境，似乎預(yù)示著連續(xù)兩年的存儲器產(chǎn)業(yè)好日子已經(jīng)走到盡頭。再加上客戶群庫存修正以及英特爾處理器短缺持續(xù)發(fā)酵，帶動DRAM需求無力可施，使得業(yè)界對于未來DRAM價格展望更形悲觀，恐將進一步嚴重下滑。

全球存儲器廠商迅速反應(yīng)存儲器價格走跌頹勢，企圖借由調(diào)整資本支出以因應(yīng)市場瞬息萬變，而對于半導體設(shè)備業(yè)者的擴產(chǎn)訂單，也隨之止步擱置，然而NAND相關(guān)投資恐將在2019年面臨到兩位數(shù)的下跌沖擊之外，即便連DRAM支出或許也將觀察到更深的下修走勢。

從美光財報數(shù)據(jù)觀察，此前觀察到該公司毛利率以及營益率等兩大關(guān)鍵獲利數(shù)據(jù)接連超過1年有余的持續(xù)上揚態(tài)勢，而且這還是在美光持續(xù)加大營運費用、提高資本支出的前提下，所達到的業(yè)績成果。

只不過在需求疲軟，再加上美國總統(tǒng)特朗普最新對大陸懲罰性關(guān)稅沖擊下，美光最新毛利率數(shù)據(jù)業(yè)已浮現(xiàn)下滑現(xiàn)象，而美光高層警示，未來在特朗普懲罰性重稅威脅陰霾持續(xù)下，美光獲利表現(xiàn)恐將面臨撞墻期。

以最新美光2019會計年度第1季財報結(jié)果來看，在美國對大陸輸美貨品課以懲罰性關(guān)稅影響下，已經(jīng)讓美光第1季毛利率頓時下跌0.5個百分點，預(yù)計第2季度美光毛利率恐難再回到60%高峰水平，估計將在50~53%之間徘徊。

由于大陸地區(qū)營收貢獻美光大約50%占比，介于美國和大陸之間的貿(mào)易戰(zhàn)爭，對美光來說極為不利。在12月初，中美二國間達成初步共識，若在大陸誠意解決美國智財權(quán)以及美國業(yè)者在大陸被迫技術(shù)轉(zhuǎn)移等議題獲得圓滿解決后，在90天內(nèi)，特朗普政府將不會將目前關(guān)稅稅率10%提高到25%。

然而，一旦雙方在90天內(nèi)不能達成共識解決歧異，對多數(shù)在大陸設(shè)廠的美國半導體業(yè)者包括美光、英特爾等廠來說，一旦懲罰性重稅稅率拉抬到25%課征，將會面臨遠比目前侵蝕獲利更為嚴重的沖擊。

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