華為自研光傳輸芯片獲得重大進(jìn)展

時(shí)間:2018-12-18

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:今天,華為中國官方微博發(fā)文稱,由華為、LightCounting、光迅科技、住友、索爾思、思博倫以及穎飛等產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合發(fā)起的第三屆50GPAM4技術(shù)和產(chǎn)業(yè)論壇近日在深圳舉行。

今天,華為中國官方微博發(fā)文稱,由華為、LightCounting、光迅科技、住友、索爾思、思博倫以及穎飛等產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合發(fā)起的第三屆50GPAM4技術(shù)和產(chǎn)業(yè)論壇近日在深圳舉行。

PAM4(4PulseAmplitudeModulation)是新一代信號傳輸技術(shù),其采用4個(gè)不同的信號電平來進(jìn)行信號傳輸,每個(gè)符號周期可以表示2個(gè)bit的邏輯信息(0、1、2、3),相較于傳統(tǒng)信號傳輸方式,每個(gè)信號符號周期可以傳輸更多bit的邏輯信息。

PAM4信號作為下一代數(shù)據(jù)中心中高速信號互聯(lián)的熱門信號傳輸技術(shù),被廣泛應(yīng)用于200G/400G接口的電信號或光信號傳輸。而50GE則是50Gbps,即6.25GB/s。

華為路由器與電信以太產(chǎn)品線總裁高戟致辭表示:"在產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠家的共同努力下,50GPAM4技術(shù)已經(jīng)成熟,華為基于50GPAM4技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品都已經(jīng)正式發(fā)布,50GE在國內(nèi)三大運(yùn)營商5G承載網(wǎng)試點(diǎn)中進(jìn)行了規(guī)模部署,海外運(yùn)營商對50GE技術(shù)普遍認(rèn)可,當(dāng)前華為已經(jīng)獲得十余個(gè)商用合同,未來市場空間值得期待。"

華為表示,論壇上產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴一致表達(dá)了對50GPAM4產(chǎn)業(yè)前景充滿信心,并表示50GPAM4產(chǎn)品化已經(jīng)就緒,能夠?yàn)?a href="http://www.wangxinlc.cn/callsale/elec/">5G承載規(guī)模商用奠定堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

什么是PAM4?

PAM4是PAM(PulseAmplitudeModulation,脈沖幅度調(diào)制)調(diào)制技術(shù)的一種。PAM信號是繼NRZ(NonReturn-to-Zero)后的熱門信號傳輸技術(shù),也是多階調(diào)制技術(shù)的代表,當(dāng)前已被廣泛應(yīng)用在高速信號互連領(lǐng)域。

NRZ和PAM4信號典型波形如下圖所示。其中,右側(cè)為NRZ和PAM4的光眼圖對比,NRZ為單眼波形,PAM4為三眼波形(y軸方向存在3個(gè)眼狀圖形)。

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從4G至即將到來的5G,流量增長非常迅猛,但與此形成鮮明對照的是,運(yùn)營商的收入依然以低速增長,兩者的剪刀差越來越大。如何縮小流量和收入的不平衡是運(yùn)營商面臨的一大痛點(diǎn)。如果可以解決此痛點(diǎn),無疑會在5G解決方案競爭中獲得優(yōu)勢。

最有效降低剪刀差的措施是降低成本。在移動(dòng)承載網(wǎng)設(shè)備的成本構(gòu)成中,光模塊占比越來越大。如果可以有效降低光模塊的成本,無疑會對降低整網(wǎng)設(shè)備成本起到至關(guān)重要的作用。性能訴求與前幾代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)相比,5G網(wǎng)絡(luò)的能力將有飛躍發(fā)展。例如,下行峰值數(shù)據(jù)速率可達(dá)20Gbps,而上行峰值數(shù)據(jù)速率可能超過10Gbps。在基礎(chǔ)設(shè)施方面,運(yùn)營商應(yīng)該進(jìn)行端到端的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)改造,構(gòu)建從接入網(wǎng)、匯聚網(wǎng)到核心網(wǎng)的彈性架構(gòu),增強(qiáng)其基礎(chǔ)設(shè)施的帶寬擴(kuò)展靈活性。基于單通道50GPAM4技術(shù)的400GE/200GE/50GE可以很好適配5G對網(wǎng)絡(luò)成本以及性能的訴求,構(gòu)筑從接入、匯聚到核心網(wǎng)的最優(yōu)解決方案。

光電子技術(shù)是半導(dǎo)體技術(shù)一個(gè)分支。為了更好的提升發(fā)光效率和性能,業(yè)界普遍采用III-V族元素化合物進(jìn)行光芯片設(shè)計(jì),與僅需要保證電氣性能的CMOS工藝用純硅有較大差異。

當(dāng)前光技術(shù)發(fā)展已成為接口發(fā)展技術(shù)瓶頸。CMOS工藝經(jīng)過幾十年發(fā)展已經(jīng)非常成熟,由于有海量應(yīng)用以及N次迭代后優(yōu)化的工藝。相比之下,III-V族發(fā)展速度已顯著落后,受限產(chǎn)業(yè)規(guī)模,在工藝成熟度和標(biāo)準(zhǔn)化方面存在較大差距。當(dāng)前,光技術(shù)發(fā)展速度已不能滿足經(jīng)典的摩爾定律要求,即每18個(gè)月性能翻倍。通信領(lǐng)域的光電子技術(shù)發(fā)展速度,當(dāng)前需要24~36個(gè)月才能翻倍。為了使光電子技術(shù)發(fā)展更快,出現(xiàn)了硅光技術(shù)等新的工藝技術(shù),以及高階調(diào)制等算法技術(shù)等手段加速。PAM4屬于高階調(diào)制技術(shù)的一種,可認(rèn)為是利用電領(lǐng)域技術(shù)加速光技術(shù)發(fā)展的一個(gè)有效方法。

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