英飛凌IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度,適于使用自動(dòng)化表面貼裝
導(dǎo)語(yǔ):2018年6月1日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5IGBT產(chǎn)品陣容。
【英飛凌IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度,適于使用自動(dòng)化表面貼裝】2018年6月1日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40A650VIGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP5IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度日益增長(zhǎng)的需求,適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。
英飛凌的超薄TRENCHSTOP5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飛凌率先將40A650VIGBT和40A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的D2PAK封裝產(chǎn)品,這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場(chǎng)上的所有其他產(chǎn)品,其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。
新器件的高功率密度允許設(shè)計(jì)人員升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì),開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺(tái),或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量,從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。獨(dú)一無(wú)二的組合封裝40AD2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面貼裝。這可支持輕松焊接,實(shí)現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
中傳動(dòng)網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:
凡本網(wǎng)注明[來源:中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)(www.wangxinlc.cn)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個(gè)人轉(zhuǎn)載使用時(shí)須注明來源“中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
下一篇:
?
英飛凌推出CIPOS? Mini IPM,助力低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提高效率?
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)現(xiàn)推出CIPOS?Mini產(chǎn)品家族的IM512和IM513系列。它們是率先集成CoolMOS?MOSFET的高效IPM(智能功率模塊),具備出色電...