聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
聯(lián)華電子宣布，該公司推出40納米結(jié)合SiliconStorageTechnology（SST）嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制程平臺(tái)。新推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，較量產(chǎn)的55納米單元尺寸減少20%以上，并使整體存儲(chǔ)器面積縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司已開(kāi)始評(píng)估其微處理器（MCU）芯片于聯(lián)華電子40納米SST技術(shù)平臺(tái)的適用性。
東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司混合信號(hào)芯片部門(mén)副總松井俊也表示：「我們期待采用聯(lián)華電子40納米SST技術(shù)有助于提升我們MCU產(chǎn)品的性能。與聯(lián)電合作，透過(guò)穩(wěn)定的制造供應(yīng)及配合我們的生產(chǎn)需求提供靈活的產(chǎn)能，亦將使我們能夠保持強(qiáng)勁的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)畫(huà)（BCP）。」
已有超過(guò)20個(gè)客戶和產(chǎn)品正以聯(lián)華電子55納米SST嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程進(jìn)行各階段的生產(chǎn)，包含了SIM卡，金融交易，汽車(chē)，物聯(lián)網(wǎng)，MCU及其它應(yīng)用產(chǎn)品。
聯(lián)華電子特殊技術(shù)組織協(xié)理丁文琪表示：「自2015年提供55納米SST嵌入式快閃存儲(chǔ)器成為主流技術(shù)以來(lái)，我們一直受到客戶的高度關(guān)注，藉此制程平臺(tái)所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車(chē)、工業(yè)、消費(fèi)者和物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。我們很高興將這些產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)，并正努力將這嵌入式快閃存儲(chǔ)器解決方案擴(kuò)展到40納米的技術(shù)平臺(tái)，期待將SST的高速度和高可靠性優(yōu)勢(shì)帶給東芝和其它晶圓專工客戶?！?/P>
聯(lián)華電子堅(jiān)實(shí)的分離式閘極存儲(chǔ)器單元SST制程，依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃～125℃溫度下，數(shù)據(jù)可保存10年以上。除40納米SST制程外，還有20多家客戶使用該公司的55納米SST技術(shù)生產(chǎn)各類應(yīng)用產(chǎn)品。
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