隨著2016年NB－IOT的R3核心標(biāo)準(zhǔn)凍結(jié)，迎來了一波物聯(lián)網(wǎng)的熱，這一輪NB－IOT持續(xù)了一年多，很快就會進(jìn)入下一個(gè)階段，在NB－IOT之后，物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域哪些技術(shù)會有大機(jī)會？

當(dāng)然物聯(lián)網(wǎng)平臺、邊緣計(jì)算一定都是未來的機(jī)會，這個(gè)稍微有點(diǎn)常識的都會知道這兩個(gè)是未來的機(jī)會，我就不在這里說了！

根據(jù)NB－IOT特點(diǎn)尋找

看一下NB－IOT包括五個(gè)特點(diǎn)：

低功耗：10年電池壽命

低成本：極低的模組成本

廣覆蓋：20dB＋增強(qiáng)，10公里覆蓋

大容量：沒消去5萬終端。

抓住NB－IOT里兩個(gè)重要特點(diǎn)：低功耗，低成本。

未來設(shè)備通訊方式要求低功耗，低成本。他們未來的產(chǎn)品上低功耗，低成本都會是未來物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的主要特點(diǎn)。

看下物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展瓶頸

從時(shí)間軸上看物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展：

首先遇到的瓶頸是連接的瓶頸，所以第一步是解決連接問題，實(shí)現(xiàn)大量設(shè)備的連接。

第二步會遇到感知的瓶頸，第二步會有更多物的狀態(tài)的感知，形成大數(shù)據(jù)。

第三步會遇到智能的瓶頸，初始智能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，未來自學(xué)習(xí)，雙向聯(lián)動智能化更為重要。

NB－IOT解決的是低功耗，低成本設(shè)備的連接問題，而低功耗，低成本設(shè)備的感知問題用什么解決？

抓住三個(gè)關(guān)鍵詞：低功耗、低成本、感知，我認(rèn)為MEMS會是下一輪爆發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。

什么是MEMS

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)是特征尺度跨越微米和納米兩個(gè)鄰微小領(lǐng)域的高新技術(shù)，是武器裝備信息化的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括：MEMS靜電馬達(dá)，硅微型傳動機(jī)構(gòu)，MEMS智能微塵，硅微陀螺，芯片原子鐘。

隨著技術(shù)的發(fā)展，過去20年中一直遵循Moor定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18－24個(gè)月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

隨著IC行業(yè)的發(fā)展，摩爾定律事否會失效？

但超越摩爾定律，會有三個(gè)發(fā)展方向：

特征尺寸繼續(xù)等比例縮小并立體化；

集成電路（IC）將發(fā)展成為芯片系統(tǒng)（SoC）；

微電子技術(shù)與其他領(lǐng)域相結(jié)合將產(chǎn)生新的產(chǎn)業(yè)和新的學(xué)科，MEMS為代表的微系統(tǒng)技術(shù)就是重要顛覆技術(shù)之一。

MEMS與IC的區(qū)別是：MEMS具有可動結(jié)構(gòu)，利用微納技術(shù)同時(shí)加工出機(jī)械結(jié)構(gòu)和電路系統(tǒng)。

MEMS特點(diǎn)

微型化、低成本、低功耗，高可靠。

高精度。

高集成度。

高性能。

其他特點(diǎn)不虛多講，低成本、低功耗、高集成度，這三個(gè)特點(diǎn)值得關(guān)注。

在NB－IOT通訊完善之后，必然激發(fā)對低功耗、低成本、體積小的傳感器的需求。MEMS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展很多年，廣泛存在，現(xiàn)在手機(jī)上已經(jīng)有很多MEMS傳感器。而物聯(lián)網(wǎng)的普及必然激發(fā)MEMS傳感器的需求。