近十年來，國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵技術(shù)自主可控方面已取得一定成效，但全球市場占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達(dá)國家差距較大。為此，國家加大了對集成電路的制造、設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備和材料的投資力度，并通過并購等形成了一批力量，為國家芯片產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展打下了重要基礎(chǔ)。

作為信息通信產(chǎn)業(yè)的重中之重，半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的規(guī)模和技術(shù)水平?jīng)Q定了國家信息通信產(chǎn)業(yè)是否能在全球整體市場環(huán)境中占據(jù)優(yōu)勢，也決定了國家多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域變革與轉(zhuǎn)型的發(fā)展速度。

隨著國家“互聯(lián)網(wǎng)+”、“中國制造2025”以及5G戰(zhàn)略的進(jìn)一步推進(jìn)，芯片領(lǐng)域面臨巨大的市場需求。有指出，截至目前，我國的芯片、傳感器、操作系統(tǒng)等核心基礎(chǔ)能力依然薄弱，高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達(dá)國家差距較大，芯片業(yè)已與原油并列成為我國進(jìn)口份額最大的兩類產(chǎn)品。

2016年，中國集成電路進(jìn)口額高達(dá)2271億美元，亦是連續(xù)第四年芯片產(chǎn)品進(jìn)口費(fèi)用超過2000億美元。與此同時(shí)，我國集成電路出口金額卻僅為613.8億美元，貿(mào)易逆差高達(dá)1657億美元。以傳感器為例，中高端傳感器進(jìn)口比例達(dá)80%，傳感芯片進(jìn)口比例達(dá)90%，跨國公司在中國MEMS傳感器市場占比高達(dá)60%，并缺乏引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)發(fā)展的龍頭企業(yè)。

盡管近十年來，國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵技術(shù)自主可控方面已取得一定成效，但全球市場占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，且制造企業(yè)在規(guī)模、創(chuàng)新研發(fā)與設(shè)計(jì)以及生產(chǎn)承接能力方面依舊落后于全球領(lǐng)先廠商。長期依賴進(jìn)口芯片無論是對于國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展抑或是更高層面的國家安全均不是長久之計(jì)。

當(dāng)前，中國在大力推動國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展和關(guān)鍵技術(shù)自主可控過程中，主要面臨著來自國內(nèi)和國外兩個(gè)層面的挑戰(zhàn)。

一方面，我國是全球芯片需求大國，芯片市場需求總量約占全球的1/3，芯片需求量之巨大可見一斑；另一方面，由于涉及到專利保護(hù)、技術(shù)封鎖等問題，未來通過直接從他國購買芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的方式，難度可能將進(jìn)一步加大。

那如何在芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破呢？眾所周知，芯片業(yè)具備高投入、高風(fēng)險(xiǎn)、高回報(bào)以及技術(shù)密集、人才密集、資本密集的產(chǎn)業(yè)特性，這樣的產(chǎn)業(yè)特性就決定了需要在人才招募和培養(yǎng)、資金投入、技術(shù)創(chuàng)新突破和先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)研究積累等方面集中優(yōu)勢化的密集資源。

為此，近些年國家加大了對集成電路的制造、設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備和材料的投資力度，并通過并購等形成了一批力量，為國家芯片產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展打下了重要基礎(chǔ)。

7月6日，總投資30億元、一期投資15億元的寧夏銀和年產(chǎn)180萬片8英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目在銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)西區(qū)投產(chǎn)。該項(xiàng)目填補(bǔ)了國內(nèi)8英寸以上硅拋光片量產(chǎn)的空白，打破國外公司對中國半導(dǎo)體硅片材料市場的壟斷。

下一步，寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司將投資60億元，啟動年產(chǎn)360萬片8英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目和年產(chǎn)240萬片12英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目，通過開展高品質(zhì)半導(dǎo)體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，建成具有國際先進(jìn)水平的8英寸和12英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地。

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