IR發(fā)布新款HEXFET MOSFET系列,提升功率密度

時間:2006-07-21

來源:中國傳動網(wǎng)

導語:國際整流器公司(International Rectifier,IR)日前推出全新組件,拓展其為適用于服務器

國際整流器公司(International Rectifier,IR)日前推出全新組件,拓展其為適用于服務器、筆記本計算機適配器和臺式計算機電源供應的AC-DC同步整流而設計的60V及75V HEXFET MOSFET系列。此外,新產(chǎn)品亦適用于DC-DC和低電壓馬達驅(qū)動器。 業(yè)界不斷努力提升功率密度及數(shù)據(jù)處理電路的速度,使電源供應對高密度的要求有所增加。嶄新的IRFB/S/SL3206、3306、3207Z及3307Z MOSFET系列通過改善AC-DC SMPS應用的RDS (on),提供卓越的同步整流表現(xiàn),相比先前的業(yè)界標準,更同時把RDS (on)調(diào)低多達10%,使功率密度得以提升。 IR臺灣分公司總經(jīng)理朱文義表示:“隨著微型處理的速度變得更快,對功率需求更高,IR全新的同步整流MOSFET讓更具效率、功率密度也更大的AC-DC SMPS能降低傳導損耗。” 新的75V組件最大RDS (on)由4.1m Ohms至5.8m Ohms,至于60V組件的則由3.0m Ohms 至4.2m Ohms。新產(chǎn)品分別有TO-220、D2Pak及TO-262封裝,符合工業(yè)級和第一級濕度感應度(MSL1)要求。IR的封裝選擇為原有設計提供簡易的性能升級路徑。各種封裝都不含鉛,并為協(xié)助客戶符合最新SMPS方案的有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)指引而設計,卻毋須在表現(xiàn)方面作出妥協(xié)。
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