三菱電機(jī)開(kāi)始發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”

時(shí)間:2015-10-19

來(lái)源:三菱電機(jī)自動(dòng)化(中國(guó))有限公司

導(dǎo)語(yǔ):三菱電機(jī)株式會(huì)社將于11月30日開(kāi)始發(fā)售“X系列HVIGBT※2模塊”,這是一款新開(kāi)發(fā)的功率半導(dǎo)體模塊,額定規(guī)格為6.5kV/1000A,工作溫度為150℃,達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)水平※1。

三菱電機(jī)株式會(huì)社將于11月30日開(kāi)始發(fā)售“X系列HVIGBT※2模塊”,這是一款新開(kāi)發(fā)的功率半導(dǎo)體模塊,額定規(guī)格為6.5kV/1000A,工作溫度為150℃,達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)水平※1。該產(chǎn)品耐壓高,電流大,廣泛適用于鐵路牽引、直流輸電以及大型工業(yè)設(shè)備的逆變器設(shè)計(jì)。

※1截至2015年9月29日,根據(jù)本公司的調(diào)查

※2HighVoltageInsulatedGateBipolarTransistor:高壓絕緣柵型雙極晶體管

X系列HVIGBT模塊(CM1000HG-130XA)

1.額定規(guī)格6.5kV/1000A,業(yè)界最大,易于實(shí)現(xiàn)逆變器的大容量化

?采用三菱CSTBTTM※5結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管※4,與以往產(chǎn)品相比※5,功率損耗降低約20%,熱阻降低約10%※5

?因功率損耗與熱阻降低,在保持與以往產(chǎn)品※6相同封裝的前提下,額定電流從750A提升到1000A,為逆變器的大容量化做貢獻(xiàn)

※3載流子存儲(chǔ)式溝槽柵型雙極晶體管

※4RelaxedFieldofCathode:本公司獨(dú)有二極管,提高了陰極側(cè)電子遷移率

※5將CM750HG-130R與第7代IGBT進(jìn)行比較的情況

※6CM600HG-130H、CM750HG-130R

2.在世界上首次實(shí)現(xiàn)+150℃的工作保證溫度,為逆變器的小型化做貢獻(xiàn)

?通過(guò)采用第7代IGBT和RFC二極管※4及溫度特性更好的封裝材料,在耐壓6.5kV的條件下,在世界上首次實(shí)現(xiàn)了150℃的工作保證溫度,達(dá)到業(yè)界最高水平※1

?由于可在高溫下使用,因此逆變器冷卻系統(tǒng)得到了簡(jiǎn)化,有利于逆變器的小型化,提高了設(shè)計(jì)的自由度

3.確保與以往產(chǎn)品外形封裝兼容,有助于縮短逆變器的研發(fā)時(shí)間

?確保外形封裝尺寸、輸出端子的配置等與以往產(chǎn)品※6兼容,從而便于替換升級(jí),有助于縮短逆變器的研發(fā)時(shí)間。

發(fā)售概要

主要目標(biāo)

三菱電機(jī)的“HVIGBT”模塊自1997年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化以來(lái),以其優(yōu)異的性能和高可靠性獲得好評(píng),被廣泛應(yīng)用于鐵路車輛牽引系統(tǒng)、直流輸電設(shè)備以及大型工業(yè)設(shè)備等的逆變器。

近年來(lái),由于人們環(huán)保意識(shí)提高,對(duì)逆變器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越來(lái)越高。

為了滿足上述市場(chǎng)需求,本公司此次將發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”,該產(chǎn)品通過(guò)采用三菱第7代IGBT和RFC二極管,降低了功率損耗與熱阻,易于實(shí)現(xiàn)逆變器的大容量化和小型化。

我們首先將推出耐壓6.5kV的產(chǎn)品,今后還將增加3.3kV和4.5kV產(chǎn)品,擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,為逆變器的大容量、小型化做貢獻(xiàn)。

主要規(guī)格

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