MentorGraphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布推出全新Calibre®xACT™寄生電路參數(shù)提取平臺，該平臺可滿足包括14nmFinFET在內(nèi)廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求，同時(shí)最大限度地減少IC設(shè)計(jì)工程師的猜測和設(shè)置功夫。CalibrexACT平臺可借由自動(dòng)優(yōu)化電路參數(shù)提取技術(shù)，針對客戶特定的工藝節(jié)點(diǎn)、產(chǎn)品應(yīng)用、設(shè)計(jì)尺寸大小及電路參數(shù)提取目標(biāo)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)度和周轉(zhuǎn)時(shí)間(TAT)的最佳組合。采用CalibrexACT平臺進(jìn)行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴(yán)格的精準(zhǔn)度要求的同時(shí)，還讓客戶體驗(yàn)到了減少高達(dá)10倍的周轉(zhuǎn)時(shí)間。

Samsung在用于14nm技術(shù)的CalibrexACT平臺的開發(fā)和認(rèn)證方面與Mentor Graphics有著廣泛的合作，并憑借該平臺的高精準(zhǔn)度性能將其應(yīng)用于技術(shù)開發(fā)。

CalibrexACT產(chǎn)品能夠?qū)蝹€(gè)規(guī)則檔案應(yīng)用于一系列電路參數(shù)提取應(yīng)用，使客戶能夠兼顧精準(zhǔn)度和快速TAT(TurnAroundTime)，且無需手動(dòng)修改其規(guī)則檔案或工具配置。

“我們在對領(lǐng)先的電路參數(shù)提取產(chǎn)品進(jìn)行了仔細(xì)的基準(zhǔn)檢驗(yàn)后，選擇了將CalibrexACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標(biāo)準(zhǔn)并應(yīng)用到我們所有的新一代設(shè)計(jì)中，”CypressSemiconductor公司CAD總監(jiān)DragomirNikolic說道。“包括在90nm和65nm制程節(jié)點(diǎn)上的產(chǎn)品。我們發(fā)現(xiàn)，在眾多目標(biāo)在最尖端工藝節(jié)點(diǎn)電路參數(shù)提取產(chǎn)品中，CalibrexACT可提供高精準(zhǔn)度和快速周轉(zhuǎn)時(shí)間的最佳組合。此外，我們也看到CalibrexACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應(yīng)用（從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提取）中產(chǎn)生最佳結(jié)果，這種能力是非常有價(jià)值的。”

在整個(gè)設(shè)計(jì)周期內(nèi)，電路設(shè)計(jì)工程師必須在性能和精準(zhǔn)度之間權(quán)衡取舍。寄生電路參數(shù)提取也不例外。在使用較為復(fù)雜的FinFET組件的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上，設(shè)計(jì)工程師始終致力于追求更為嚴(yán)苛的精準(zhǔn)度，也需要更高的性能和容量來實(shí)現(xiàn)十億級晶體管設(shè)計(jì)。事實(shí)上，在現(xiàn)代IC中，所有制程節(jié)點(diǎn)都隨著內(nèi)存、模擬電路、標(biāo)準(zhǔn)單元庫以及客制化數(shù)字內(nèi)容的混合變得日益復(fù)雜。這種復(fù)雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，CalibrexACT平臺將精簡模型、解電磁場技術(shù)(FieldSolver)以及高效的多CPU擴(kuò)展(scaling)技術(shù)融為一體，以確保實(shí)現(xiàn)有可靠精準(zhǔn)度并滿足計(jì)劃所要求的期限。

CalibrexACT電路參數(shù)提取平臺與整個(gè)Calibre產(chǎn)品線整合，實(shí)現(xiàn)了無縫驗(yàn)證流程，其中包括用于完整晶體管級模型的CalibrenmLVS™產(chǎn)品，以及用于針對極高精準(zhǔn)度電路參數(shù)提取應(yīng)用的CalibrexACT3D產(chǎn)品。此外，它還納入了第三方設(shè)計(jì)環(huán)境和格式，以確保與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和仿真流程相兼容。

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