中國(guó)上海，2014年9月23日–日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝（Toshiba）旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，東芝超級(jí)結(jié)MOSFET榮獲“2014年度中國(guó)電子成就獎(jiǎng)”的“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”。由環(huán)球資源GlobalSources旗下領(lǐng)先行業(yè)媒體《電子工程專(zhuān)輯》、《國(guó)際電子商情》及《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》共同頒發(fā)的“2014中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)”（TheChinaAnnualCreativityinElectronicsAwards2014）頒獎(jiǎng)典禮于9月2日在“第十九屆IIC-China”（IIC-China研討會(huì)暨展覽會(huì)）期間舉辦。
超級(jí)結(jié)MOSFET
東芝在電源AC-DC轉(zhuǎn)換中使用的高壓MOSFET（HV-MOSFET）方面開(kāi)發(fā)出超級(jí)結(jié)MOSFET，稱(chēng)此結(jié)構(gòu)為DeepTrenchMOSFET（DT-MOS）。目前東芝正在擴(kuò)充第四代產(chǎn)品，與前三代開(kāi)發(fā)出的DT-MOS制造工藝有所不同，從多層外延（Multi-Epi）到單層外延（SingleEpi）可以說(shuō)是一個(gè)很大的改變。由于制造工藝的難度很大，如今采用單層外延構(gòu)造的生產(chǎn)廠(chǎng)家逐漸減少，而東芝至今在單層外延型構(gòu)造方面仍進(jìn)行著積極的開(kāi)發(fā)。由于采用單層外延構(gòu)造，可實(shí)現(xiàn)FET的細(xì)微化，而且在縱向上控制了不純物濃度，從而實(shí)現(xiàn)了高壓和低導(dǎo)通電阻的并存。與多層外延相比，可將高溫下的Ron變化控制在最小范圍。隨著開(kāi)關(guān)噪聲的低EMC等需求增加，東芝還準(zhǔn)備了控制開(kāi)關(guān)速度dv/dt降低噪聲Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速開(kāi)關(guān)特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H這兩種工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。
東芝超級(jí)結(jié)MOSFET
關(guān)于“2014年度中國(guó)電子成就獎(jiǎng)”
“中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)”由環(huán)球資源旗下領(lǐng)先電子行業(yè)媒體電子工程專(zhuān)輯、國(guó)際電子商情及電子技術(shù)設(shè)計(jì)共同舉辦，旨在表彰對(duì)中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)及技術(shù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)的人士及企業(yè)。其中，“公司”、“技術(shù)”及“產(chǎn)品”等獎(jiǎng)項(xiàng)由三個(gè)專(zhuān)業(yè)媒體的電子工程設(shè)計(jì)和電子企業(yè)管理者社群在線(xiàn)投票決定，分析師推薦獎(jiǎng)項(xiàng)由分析師團(tuán)隊(duì)投票選出。
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