20日，世界上第二條、國(guó)內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）專業(yè)芯片線在中國(guó)南車投產(chǎn)。其投產(chǎn)打破了國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口IGBT的全面替代，對(duì)保障我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)安全和推動(dòng)節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。
IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，主要應(yīng)用于高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動(dòng)設(shè)備，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，可以有效提升能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平。由于技術(shù)含量極高、制造難度大，IGBT芯片技術(shù)過(guò)去主要掌握在日本等少數(shù)幾個(gè)國(guó)家手中，我國(guó)的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99%以上依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)沒(méi)有獨(dú)立完整的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)體系。
中國(guó)南車是我國(guó)最早開(kāi)展電力電子器件研制與應(yīng)用的企業(yè)之一，2012年5月在株洲投資15億元建設(shè)國(guó)內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。通過(guò)資本運(yùn)作和自主創(chuàng)新相結(jié)合，中國(guó)南車迅速掌握了IGBT芯片設(shè)計(jì)及封裝成套關(guān)鍵技術(shù)與工藝，成為國(guó)內(nèi)唯一自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應(yīng)用全套技術(shù)的企業(yè)。
伴隨著中國(guó)南車IGBT技術(shù)及國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程，我國(guó)在電力電子器件領(lǐng)域受制于人的局面漸漸改變。2008年，南車株洲所并購(gòu)丹尼克斯公司完成后，該產(chǎn)品價(jià)格開(kāi)始下降，當(dāng)該公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能后，該產(chǎn)品價(jià)格隨之大幅下降。由此一項(xiàng)，中國(guó)南車為國(guó)家節(jié)約成本數(shù)十億元。
中國(guó)工程院院士、中國(guó)南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍告訴記者，中國(guó)南車集合了上百位專家，積聚20多年之功，累計(jì)投入超過(guò)30億元，在IGBT芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用方面攻克了30多項(xiàng)重大難題，終于掌握了成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)?；I(yè)化生產(chǎn)工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
據(jù)了解，此次8英寸IGBT專業(yè)芯片線全面建成投產(chǎn)，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，年產(chǎn)值可達(dá)20億元。
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