為改善過去采用矽(Si)材料開發(fā)的功率元件無法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷，快捷半導(dǎo)體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產(chǎn)雙極接面電晶體(BJT)，且持續(xù)開發(fā)出新一代產(chǎn)品，準(zhǔn)備大舉插旗太陽能裝置、風(fēng)能、輕軌牽引(RailTraction)等大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用版圖。
iCBJT未來或?qū)⒃诖蠊β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用的電源管理扮演舉足輕重的角色?？旖莅雽?dǎo)體資深技術(shù)正在開發(fā)的新一代SiCBJT產(chǎn)品中，1,200伏特元件將涵蓋使用工業(yè)三相線路電壓供應(yīng)440交流電壓(VAC)的應(yīng)用，甚至可支援超過500伏特的較高線路電壓，和中大規(guī)模太陽能裝置中高達(dá)1,000∼1,500伏特電壓運(yùn)作的逆變器(Inverter)，以及同樣需要較高電壓和電流的風(fēng)力發(fā)電和輕軌牽引。至于1,700伏特或更高額定電壓SiCBJT元件，將較采用矽開發(fā)的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)具有更高轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢，且具備更高的阻隔電壓，因此可減緩電力損耗。
據(jù)了解，快捷半導(dǎo)體系藉由收購TranSiC掌握SiCBJT技術(shù)能量，并已發(fā)布首批產(chǎn)品，將積極在產(chǎn)品線推陳出新，以擴(kuò)大在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的市占。
不同于矽功率元件，SiC功率元件需要完全不同的制程；此外，SiC功率元件的晶圓更小(目前為4寸)，且缺陷密度比矽功率元件高出許多。目前該公司已克服上述技術(shù)難題，并開發(fā)出高良率的制程，可減少SiC基板中缺陷的影響。
相較于矽功率元件，SiC功率元件可減少約50%的電力損耗，且在相似的損耗條件下，可實(shí)現(xiàn)最高四倍的頻率提升，也因此，對于需要最佳性能和功率密度的系統(tǒng)而言，SiC功率元件(包含BJT)將為首選方案，特別適用于鉆井、太陽能/風(fēng)力系統(tǒng)逆變器、電動(dòng)/混合動(dòng)力車、工業(yè)馬達(dá)、不斷電系統(tǒng)(UPS)等大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
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