IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品，目前在中高電壓領(lǐng)域的市場規(guī)模達(dá)16億美元。未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機(jī)、計(jì)算機(jī)適配器和照相機(jī)等消費(fèi)類目標(biāo)應(yīng)用需求，從而搶占更多市場。與此同時(shí)，在上述應(yīng)用中的SJMOSFET可提供更快的開關(guān)頻率和具有競爭力的價(jià)格，2012年年底，SJMOSFET市場規(guī)模將達(dá)5.67億美元。

功率電子領(lǐng)域主要負(fù)責(zé)DC-DC轉(zhuǎn)換、AC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工作。需要更輕更小更高效率更便宜，目前有4種技術(shù)來對(duì)應(yīng)這些要求，分別是siliconIGBT，SuperJunction（SJ）MOSFETs，GalliumNitride（GaN）SiliconCarbide（SiC）-baseddevices。

事實(shí)上，IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車（EV/HEV）、再生能源（RenewableEnergies）、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器（MotorDrive）、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)（UPS）及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動(dòng)力來源。

IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場成長的最大動(dòng)力。

如風(fēng)能、太陽能等再生能源領(lǐng)域也是IGBT市場成長的幫手;不過，這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴政府補(bǔ)助或投資，難以正確預(yù)估其成長趨勢。幸運(yùn)的是，日本與新興國家對(duì)風(fēng)能與太陽能多加關(guān)助所帶動(dòng)的成長，約可彌補(bǔ)歐洲市場的成長趨緩?；趯?duì)提高能源效率的要求，大眾運(yùn)輸及不斷電電源系統(tǒng)這兩個(gè)基礎(chǔ)建設(shè)對(duì)IGBT的採用，也是推動(dòng)市場的助力。

未來伴隨IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場。據(jù)IHSiSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元，2015年有望達(dá)到13億美元。