在移動設(shè)備不斷發(fā)展的今天，用于移動設(shè)備的嵌入式閃存的進(jìn)步速度也非常之快。根據(jù)國外媒體的報(bào)道，在8個月前剛剛發(fā)布eMMC4.5嵌入式閃存之后，三星的下一代NAND內(nèi)存目前也已整裝待發(fā)，正式進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。
三星日前表示作為目前全球最快的內(nèi)嵌式閃存，全新eMMCPro閃存芯片使用了64GB和10nm等級的NAND閃存技術(shù)，并且也是首款支持eMMC5.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存芯片。三星稱eMMCPro閃存芯片將有16GB、32GB和64GB三種選擇，其介面速度將高達(dá)400MB/s。其中32GB和64GB的版本的最高瞬時(shí)讀寫頻率可以達(dá)到7000IOPS(inputs/outputspersecond，每秒讀寫速度)，而最高連續(xù)讀寫速度則分別為250MB/s和90MB/s。這意味著采用eMMCPro閃存芯片的移動設(shè)備在多任務(wù)處理、網(wǎng)頁瀏覽、文件轉(zhuǎn)換、高清視頻錄制、游戲等方面的性能將會有較大程度的提高。可以預(yù)見的是，如果再結(jié)合前一段時(shí)間發(fā)布的新一代Exynos5Octa5420處理器的話，三星下一代移動設(shè)備的性能應(yīng)該會相當(dāng)強(qiáng)悍
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