Vishay器件榮獲《中國(guó)電子商情》的編輯選擇獎(jiǎng)

時(shí)間:2013-03-21

來(lái)源:VISHAY 威世電子

導(dǎo)語(yǔ):2013 年 3 月21 日Vishay宣布,該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國(guó)電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國(guó)電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

《中國(guó)電子商情》2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是根據(jù)在中國(guó)市場(chǎng)的銷售業(yè)績(jī)和技術(shù)創(chuàng)新選出的。Vishay的Si7655DN和MKP1848S因其在功率器件和電容器類產(chǎn)品中優(yōu)異表現(xiàn)而獲獎(jiǎng)。

Vishay Siliconix Si7655DN是業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8m?。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻比最接近的20V器件低17%或更多,使設(shè)計(jì)者能夠在其電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降,在便攜式電子產(chǎn)品中更有效地使用能量,讓電池的使用壽命更長(zhǎng)。Si7655DN也是首款采用新版本PowerPAK®封裝的器件,高度比通常的0.75mm還要低28%。

對(duì)于DC-link應(yīng)用,Vishay Roederstein MKP1848S采用薄型設(shè)計(jì),具有2µF~100µF的業(yè)內(nèi)最寬CV范圍,電壓等級(jí)為500VDC、700VDC和1000VDC。薄型MKP1848S為設(shè)計(jì)者提供了很多針對(duì)特定應(yīng)用的選項(xiàng),具有12mm、15mm、18mm和24mm四種高度。在標(biāo)稱直流電壓和+70℃下,MKP1848S的壽命超過(guò)10萬(wàn)小時(shí),適用于逆變器、電源、太陽(yáng)能微逆變器、板上充電器(EV/HEV)、水泵和LED驅(qū)動(dòng)器。

《中國(guó)電子商情》2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品公布在雜志的2013年1月刊上。

所有《中國(guó)電子商情》2012年度編輯選擇獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品的信息發(fā)布在網(wǎng)址http://www.chinaem.com.cn/bencandy.php?fid=34&aid=6867。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

PowerPAK®Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。

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