日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100VN溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強(qiáng)型PowerPAK®SC-751.6mmx1.6mm和PowerPAK®SC-702mmx2mm占位面積的100VN溝道器件，導(dǎo)通電阻分別小于200m?和100m?。

今天推出的MOSFET適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率DC/AC逆變器，以及電信磚式電源、負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用和便攜式設(shè)備中的LED照明等小型DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè)開關(guān)。對于設(shè)計(jì)者來說，器件的超小PowerPAKSC-75和PowerPAKSC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導(dǎo)通，簡化了柵極驅(qū)動(dòng)。

在導(dǎo)通電阻比尺寸更重要的應(yīng)用中，2mmx2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為83m?和130m?，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中評價(jià)MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對于尺寸大小更重要的應(yīng)用，1.6mmx1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為185m?和310m?，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。

SiB456DK和SiA416DJ進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDECJS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡介

VishayIntertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。