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可控硅關(guān)斷參數(shù)分析及新型可控硅的應(yīng)用

發(fā)布時間：2009/4/28 19:56:00

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提供者：中國傳動網(wǎng)

【可控硅關(guān)斷參數(shù)分析及新型可控硅的應(yīng)用】

資料介紹

對可控硅誤觸發(fā)行為及關(guān)斷過程的分析表明，du／dt參數(shù)固定的條件下，di／dt的臨界值越高，電路的可靠性越高．di／dt臨界值大大提高的邏輯可控硅、無緩沖器可控硅等新型可控硅不但能提高電路的可靠性，還可以降低成本．

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