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晶體硅太陽(yáng)電池的氮化硅表面鈍化研究

發(fā)布時(shí)間：2009/4/26 17:40:00

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【晶體硅太陽(yáng)電池的氮化硅表面鈍化研究】

資料介紹
為了提高晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，研究了用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）的SiNx：H作為晶體硅太陽(yáng)電池的表面鈍化及減反射膜對(duì)電池性能的影響，并采用不同的工藝路線制備了不同類型的電池。

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