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IGBT構(gòu)思的實(shí)現(xiàn)是電力電子技術(shù)走向高頻大功率化的里程碑

發(fā)布時(shí)間:2009/3/24 21:04:00

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【IGBT構(gòu)思的實(shí)現(xiàn)是電力電子技術(shù)走向高頻大功率化的里程碑】

資料介紹
紹并點(diǎn)評(píng)了IGBT(當(dāng)時(shí)稱為IGT)處于襁褓時(shí)期的經(jīng)典論文——美籍印度人B.J.Baliga博士1983年發(fā)表的“絕緣柵晶體管(IGT)——一種新型功率開關(guān)器件“。分析了該論文的背景。20年來,IGBT構(gòu)思的形成和實(shí)現(xiàn),對(duì)電力電子技術(shù)的發(fā)展起到重大推動(dòng)作用。

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