電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，它雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。其中的IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高效節(jié)能減排的主力軍。站在政府和供給端企業(yè)角度來說，功率器件領(lǐng)域，歐美日三足鼎立的局面暫時(shí)不會(huì)改變，而國內(nèi)市場需求大，本土廠商應(yīng)援還存在問題，如何盡快地完成國產(chǎn)替代是未來地一場攻堅(jiān)戰(zhàn)，如何打贏？
站在技術(shù)的角度來說，功率器件必將向高功率、高頻率、高效率和易驅(qū)動(dòng)方向發(fā)展，而后IGBT時(shí)代的新材料的出現(xiàn)可以加速這一系列目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。
什么叫功率器件?
電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。
分為很多種，大致上可以分為有源和無源兩類。無源功率元件一般包括電阻（消耗電能），電感（存儲(chǔ)磁場能量）和電容（存儲(chǔ)電場能量）。有源功率元件主要是指功率開關(guān)，例如晶閘管（SCR），IGBT，MOSFET等，用來改變電路狀態(tài)，功率。
功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備。
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。
功率半導(dǎo)體器件，在大多數(shù)情況下，是被作為開關(guān)使用（switch），開關(guān)，簡單的說，就是用來控制電流的通過和截?cái)唷Ｄ敲?，一個(gè)理想的開關(guān)，應(yīng)該具有兩個(gè)基本的特性：
1、電流通過的時(shí)候，這個(gè)理想開關(guān)兩端的電壓降是零；
2、電流截?cái)嗟臅r(shí)候，這個(gè)理想開關(guān)兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無窮大；
因此，功率半導(dǎo)體器件的研究和發(fā)展，就是圍繞著這個(gè)目標(biāo)不斷前進(jìn)的。現(xiàn)在的功率半導(dǎo)體器件，已經(jīng)具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內(nèi)，可以接近一個(gè)比較理想的開關(guān)。
以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進(jìn)行功率處理、具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。例如電壓處理范圍從幾十V-幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
1、早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）。
2、隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車電子 為代表的4C行業(yè)（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導(dǎo)體器件可以說是越來越火。
國家倡導(dǎo)節(jié)能環(huán)保、低碳生活，就需要對(duì)能量的處理進(jìn)行合理的管理，對(duì)于能量通俗的理解就是功率P=IV，所以需要對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分！ 功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速！
以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進(jìn)行功率處理、具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。例如電壓處理范圍從幾十V-幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
1、早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）。
2、隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車電子 為代表的4C行業(yè)（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導(dǎo)體器件可以說是越來越火。
國家倡導(dǎo)節(jié)能環(huán)保、低碳生活，就需要對(duì)能量的處理進(jìn)行合理的管理，對(duì)于能量通俗的理解就是功率P=IV，所以需要對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分！ 功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速！
1、第一代產(chǎn)品：功率二極管，晶閘管，還有功率BJT（就是功率雙極型晶體管）；
2、第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。
VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是縱向器件，多用于分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是橫向器件，其三個(gè)電極均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成電路領(lǐng)域；IGBT 即 （Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。目前發(fā)展最快的也是IGBT。
什么是IGBT？
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，與 MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)功能相似，可控制的電壓范圍更高。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分成四種類型∶ 集成電路，分立器件，傳感器和光電子，其中IGBT屬于分立器件的一種。
IGBT可以被認(rèn)為是一個(gè)MOSFET 和一個(gè) BJT（雙極型三極管）混合形成的器件，但相比于 MOSFET 制造難度更高、結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，可承受的電壓也更大。一般 MOSFE工器件或模組的可承受電壓范圍為20-800V，而IGBT可承受 1000V以上的高電壓，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。
IGBT通過脈寬調(diào)制，可以把輸入的直流電變成人們所需要頻率的交流申，或者反過來。主要用干變頻逆變和其他逆變電路，被稱為是電力電子裝置的"CPU"。
模組和分立器件兩種形式，一般通俗的說IGBT指模組， IGBT模塊是由 IGBT分立器件與快恢復(fù)二極管芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。
IGBT 生命周期較長，產(chǎn)品迭代速率不追求摩爾定律，使用周期較長，雖然老一代產(chǎn)品損耗較大，但其芯片面積大，穩(wěn)定性較好，因此部分領(lǐng)域仍會(huì)選擇使用舊代產(chǎn)品。
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展，IGBT主要經(jīng)歷了7代技術(shù)及工藝改進(jìn)。各代 IGBT的主要發(fā)展趨勢(shì)主要為降低損耗與生產(chǎn)成本，總結(jié)來看大致可分為三大主要技術(shù)階段∶
第一階段是第一、第二代 IGBT為代表的平面柵型 IGBT，其中第一代由于工藝復(fù)雜且成本高，已基本被淘汰。第二代部分類型產(chǎn)品目前仍有銷售。
第二階段是以第三代、第四代 IGBT為代表的溝槽柵型 IGBT。該類型產(chǎn)品通過創(chuàng)新的溝槽設(shè)計(jì)，大大減小了IGBT的體積和使用功耗，因此被廣泛使用。第五代、第六代的 IGBT，屬于對(duì)溝槽柵型的改進(jìn)，結(jié)構(gòu)并未有很大的變動(dòng)。此外，該階段還出現(xiàn)了第三階段的過渡型產(chǎn)品 Trench Stop。
第三階段是 2018 年以后出現(xiàn)的第七代微溝槽型 IGBT，該類型產(chǎn)品更大程度地減小了器件的體積和功耗，目前英飛凌等廠商技術(shù)已達(dá)量產(chǎn)水平。
IGBT 能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，被廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域。
按電壓分布來看，消費(fèi)電子領(lǐng)域所用 IGBT產(chǎn)品主要集中在 600V 以下，新能源汽車常用IGBT產(chǎn)品電壓為 600- 1200V，動(dòng)車組常用的IGBT模塊為 3300V和 6500V，軌道交通所使用的 IGBT電壓在 1700V-6500V 之間;智能電網(wǎng)使用的IGBT通常為 3300V。
一是老牌功率器件廠商逐漸向 IGBT 等高端業(yè)務(wù)擴(kuò)展業(yè)務(wù)。
二是終端廠商向供應(yīng)鏈上游拓展，如比亞迪于 2005 年進(jìn)入IGBT產(chǎn)業(yè)，目前其推出的 IGBT 4.0 產(chǎn)品在電流輸出、綜合損耗及溫度循環(huán)壽命等許多關(guān)鍵指標(biāo)上超越了英飛凌等主流企業(yè)的產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)了對(duì)外供應(yīng)；
三是新創(chuàng)企業(yè)進(jìn)入IGBT 賽道，如芯聚能半導(dǎo)體于 2019 年 9 月開啟 25 億元的投資項(xiàng)目，目標(biāo)面向新能源汽車用功率模塊。
| 序號(hào) | 企業(yè)名稱 | LOGO | 2020年?duì)I收(億元) |
|---|---|---|---|
| 1 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |  |
/ |
| 2 | 華潤微電子控股有限公司 |  |
69.77 |
| 3 | 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 |  |
4.59 |
| 4 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |  |
42.81 |
| 5 | 吉林華微電子股份有限公司 |  |
17.19 |
| 6 | 江蘇長晶科技有限公司 |  |
/ |
| 7 | 樂山無線電股份有限公司 |  |
/ |
| 8 | 北京燕東微電子有限公司 |  |
/ |
| 9 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |  |
10.11 |
| 10 | 無錫新潔能股份有限公司 |  |
/ |
排名不分先后
全球十大功率器件廠商及經(jīng)典產(chǎn)品介紹
Infineon（英飛凌）
Infineon脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是歐洲最大的半導(dǎo)體公司，其功率半導(dǎo)體在全球排名第一。其主要功率器件產(chǎn)品包括高度可靠的IGBT、功率MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等，涵蓋了所有功率技術(shù)，功率方面覆蓋微安級(jí)到兆瓦級(jí)。
ONSemiconductor（安森美）
ON SemiconductorCorporation創(chuàng)立于1999年，是全球高性能電源解決方案供應(yīng)商。其主要功率器件產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制方案陣容，使其在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用領(lǐng)域都有良好的表現(xiàn)。
ST（意法半導(dǎo)體）
ST集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。其產(chǎn)品范圍包含MOSFET (包括運(yùn)用創(chuàng)新的MDmeshTM第二代技術(shù)的器件)、雙極晶體管、IGBT、肖特基與超快速恢復(fù)雙極工藝二極管、三端雙向可控硅開關(guān)及保護(hù)器件。此外，意法半導(dǎo)體的專利IPAD（集成有源和無源器件）技術(shù)，允許在單個(gè)芯片中整合多個(gè)有源和無源元件。
Mitsubishi（三菱電機(jī)）
Mitsubishi成立于1921年，主營功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通、綠色能源、衛(wèi)星、防御系統(tǒng)、電梯及自動(dòng)扶梯、汽車用電子用品、空調(diào)、通風(fēng)設(shè)備等領(lǐng)域的電力變換和電機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。
Toshiba（東芝）
Toshiba創(chuàng)立于1875年，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，隸屬于三井集團(tuán)。東芝的功率器件產(chǎn)品包括廣泛的二極管產(chǎn)品組合、雙極晶體管、VDSS為500~800V的中高壓DTMOSIV系列，VSS為12~250V的低電壓UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低電壓IPD、和250V/500V的高壓IPD，可分別應(yīng)用于娛樂、汽車設(shè)備,以及家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。
Vishay（威世）
Vishay集團(tuán)成立于1962年，是世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商和供應(yīng)商之一。其主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管。廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。
Fuji Electric（富士電機(jī)）
Fuji Electric成立于1923年，是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，主營功率器件包括整流二極管、功率MOSFET、IGBT、電源控制IC、SiC器件等。值得一提的是，富士還是日立的 IGBT 芯片供應(yīng)商。擁有全世界最多的 IGBT 器件方面的技術(shù)專利，總數(shù)達(dá) 500 件?，F(xiàn)在，富士電機(jī)的 IGBT 幾乎占領(lǐng)了全日本的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。
Renesas（瑞薩）
Renesas于2003年，由日立制作所半導(dǎo)體部門和三菱電機(jī)半導(dǎo)體部門合并成立，是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一。其主營模擬功率器件包括雙極型功率晶體管、功率二極管、功率MOSFET、晶閘管和IGBT，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、家居、辦公自動(dòng)化、信息通信技術(shù)等領(lǐng)域。
Rohm（羅姆）
Rohm創(chuàng)立于1958年，是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。其主營功率器件包括晶體管、二極管、IGBT、SiC功率器件和智能功率模塊，其功率器件產(chǎn)品線是小型高可靠性產(chǎn)品陣容的典型代表。
Semikron（賽米控）
Semikron成立于1951年，總部位于德國紐倫堡，是全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商之一。其產(chǎn)品主要涉及中等功率輸出范圍（約2 kW至10 MW），是現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能發(fā)電）和電動(dòng)車（私家車、廂式貨車、公交車、卡車、叉車等）領(lǐng)域。同時(shí)，Semikron也是全球前十大 IGBT 模塊供應(yīng)商，在 1700V 及以下電壓等級(jí)的消費(fèi) IGBT 領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位，在全球二極管和晶閘管半導(dǎo)體模塊市場占有25%的份額。
Infineon（英飛凌）
Infineon脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是歐洲最大的半導(dǎo)體公司，其功率半導(dǎo)體在全球排名第一。其主要功率器件產(chǎn)品包括高度可靠的IGBT、功率MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等，涵蓋了所有功率技術(shù)，功率方面覆蓋微安級(jí)到兆瓦級(jí)。
ONSemiconductor（安森美）
ON SemiconductorCorporation創(chuàng)立于1999年，是全球高性能電源解決方案供應(yīng)商。其主要功率器件產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制方案陣容，使其在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用領(lǐng)域都有良好的表現(xiàn)。
ST（意法半導(dǎo)體）
ST集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。其產(chǎn)品范圍包含MOSFET (包括運(yùn)用創(chuàng)新的MDmeshTM第二代技術(shù)的器件)、雙極晶體管、IGBT、肖特基與超快速恢復(fù)雙極工藝二極管、三端雙向可控硅開關(guān)及保護(hù)器件。此外，意法半導(dǎo)體的專利IPAD（集成有源和無源器件）技術(shù)，允許在單個(gè)芯片中整合多個(gè)有源和無源元件。
Toshiba（東芝）
Toshiba創(chuàng)立于1875年，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，隸屬于三井集團(tuán)。東芝的功率器件產(chǎn)品包括廣泛的二極管產(chǎn)品組合、雙極晶體管、VDSS為500~800V的中高壓DTMOSIV系列，VSS為12~250V的低電壓UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低電壓IPD、和250V/500V的高壓IPD，可分別應(yīng)用于娛樂、汽車設(shè)備,以及家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。
Fuji Electric（富士電機(jī)）
Fuji Electric成立于1923年，是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，主營功率器件包括整流二極管、功率MOSFET、IGBT、電源控制IC、SiC器件等。值得一提的是，富士還是日立的 IGBT 芯片供應(yīng)商。擁有全世界最多的 IGBT 器件方面的技術(shù)專利，總數(shù)達(dá) 500 件?，F(xiàn)在，富士電機(jī)的 IGBT 幾乎占領(lǐng)了全日本的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。
Rohm（羅姆）
Rohm創(chuàng)立于1958年，是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。其主營功率器件包括晶體管、二極管、IGBT、SiC功率器件和智能功率模塊，其功率器件產(chǎn)品線是小型高可靠性產(chǎn)品陣容的典型代表。
Mitsubishi（三菱電機(jī)）
Mitsubishi成立于1921年，主營功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通、綠色能源、衛(wèi)星、防御系統(tǒng)、電梯及自動(dòng)扶梯、汽車用電子用品、空調(diào)、通風(fēng)設(shè)備等領(lǐng)域的電力變換和電機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。
Vishay（威世）
Vishay集團(tuán)成立于1962年，是世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商和供應(yīng)商之一。其主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管。廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。
Renesas（瑞薩）
Renesas于2003年，由日立制作所半導(dǎo)體部門和三菱電機(jī)半導(dǎo)體部門合并成立，是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一。其主營模擬功率器件包括雙極型功率晶體管、功率二極管、功率MOSFET、晶閘管和IGBT，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、家居、辦公自動(dòng)化、信息通信技術(shù)等領(lǐng)域。
Semikron（賽米控）
Semikron成立于1951年，總部位于德國紐倫堡，是全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商之一。其產(chǎn)品主要涉及中等功率輸出范圍（約2 kW至10 MW），是現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能發(fā)電）和電動(dòng)車（私家車、廂式貨車、公交車、卡車、叉車等）領(lǐng)域。同時(shí)，Semikron也是全球前十大 IGBT 模塊供應(yīng)商，在 1700V 及以下電壓等級(jí)的消費(fèi) IGBT 領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位，在全球二極管和晶閘管半導(dǎo)體模塊市場占有25%的份額。
IGBT市場研究及發(fā)展
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2021年中國功率器件行業(yè)市場競爭格局及國際競爭力分析 高端產(chǎn)品競爭力仍需提升
2020年，從功率器件的產(chǎn)量競爭格局來看，國產(chǎn)企業(yè)士蘭微和聞泰科技在產(chǎn)量上已經(jīng)占據(jù)了較大的份額，而國外企業(yè)英飛凌的產(chǎn)量份額有所下降。
從產(chǎn)值競爭格局來看，國產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)值方面的份額占比仍舊不足，國外企業(yè)英飛凌就占據(jù)了超三分之一的產(chǎn)值…
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中國功率器件大爆發(fā)
功率器件是新能源車半導(dǎo)體的核心組成，是價(jià)值量提升的關(guān)鍵賽道。隨著新能源汽車的發(fā)展，對(duì)功率器件需求量日益增加，成為功率半導(dǎo)體器件新的增長點(diǎn)。當(dāng)下最受追捧的功率器件當(dāng)屬IGBT、SiC和GaN，尤其是第三代半導(dǎo)體的熱度一直不減。從項(xiàng)目立項(xiàng)、募資建廠再到設(shè)備引入、...
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2020功率器件（IGBT）發(fā)展現(xiàn)狀與重點(diǎn)企業(yè)
半導(dǎo)體市場本身很火，但是功率器件比半導(dǎo)體更火。中國制造2025，核心就是功率器件。其作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域，IGBT應(yīng)用極廣。
專家估計(jì)2020年整個(gè)IGBT市場規(guī)模在100億美元左右，...
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智新半導(dǎo)體IGBT模塊投產(chǎn)，可滿足東風(fēng)集團(tuán)100萬新能源汽車IGBT需求
7月7日，華中地區(qū)首只量產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品從智新半導(dǎo)體模塊封裝工廠緩緩下線，作為東風(fēng)公司實(shí)施科技創(chuàng)新“躍遷行動(dòng)”、自主掌控新能源汽車關(guān)鍵技術(shù)核心資源的重要實(shí)踐，這也是東風(fēng)和中國中車戰(zhàn)略合作后結(jié)出的第一個(gè)碩果。
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國產(chǎn)化IGBT器件在風(fēng)電變流器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)應(yīng)用
近幾年，我國IGBT技術(shù)已取得一定的突破，近日，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)風(fēng)電變流器日前在湖南梅崗風(fēng)電場2.5兆瓦直驅(qū)機(jī)組上一次性投運(yùn)成功，實(shí)現(xiàn)滿載運(yùn)行。
近年來，隨著國民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)日益廣泛地應(yīng)用于日常消費(fèi)品、工業(yè)制造、電力輸配、...
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國內(nèi)IGBT廠商上科創(chuàng)板，背后的深意何在？
IGBT是一種新型電力電子器件，被國際公認(rèn)為第三次電力電子技術(shù)革命的代表產(chǎn)品，是工業(yè)控制與自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元件，其作用與人的心臟大致相同，可以根據(jù)工業(yè)設(shè)備的信號(hào)指示來調(diào)整電路中的電壓、電流、頻率、相位等，從而達(dá)到精確調(diào)節(jié)的目的。因此， IGBT在電力電子工業(yè)...
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