


Vishay Siliconix推出業(yè)界最佳優(yōu)值系數(shù)(FOM)的新款N溝道功率MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
公司名稱VISHAY 威世電子
地 址上海市淮海西路55號(hào) 申通信息廣場(chǎng)15樓D座
企業(yè)信息
普通會(huì)員第18年
公司類型: 生產(chǎn)商
主運(yùn)營(yíng):電子元器件、半導(dǎo)體
所在地區(qū):上海市
注冊(cè)時(shí)間:2008-11-20
該器件是采用TO-247封裝的600V、47A器件,具有15.12Ω-nC的導(dǎo)通電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。
柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM),SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,是業(yè)界此類器件當(dāng)中最低的。
SiHG47N60S的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而在太陽(yáng)能電池和風(fēng)力發(fā)電機(jī)的逆變器、通信、服務(wù)器和電機(jī)控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓?fù)渲泄?jié)約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造,這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進(jìn)行了有針對(duì)性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,為保證可靠工作進(jìn)行了完備的雪崩測(cè)試。
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。

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