

浪拓電子 晶閘管浪涌抑制器BS0060M
企業(yè)信息
普通會員第18年
公司類型: 生產(chǎn)商
主運(yùn)營:陶瓷氣體放電管、ESD靜電釋放器
所在地區(qū):深圳市
注冊時(shí)間:2008-05-13
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BS0060MS BS0080MS
SiBar半導(dǎo)體浪涌保護(hù)元件能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備,防止雷擊瞬態(tài)電壓等過電壓事件造成損壞,在浪涌電壓超過擊穿電壓時(shí)起分流的作用.當(dāng)電壓超過擊穿電壓時(shí),SiBar半導(dǎo)體浪涌抑制器工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū),形成一個(gè)低阻通路,有效地降低過電壓.
SiBar半導(dǎo)體浪涌保護(hù)元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要標(biāo)準(zhǔn),可以對模擬和數(shù)字線路卡,XDSL和ISDN調(diào)制解調(diào)器、機(jī)頂盒、T1設(shè)備、VoIP設(shè)備和PoE設(shè)備實(shí)現(xiàn)快速的雙向保護(hù).
SiBar元件與能量處理等級相同的 位器件相比,具有更低導(dǎo)通電壓和更小的體積,且電容小,適合應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娐分?

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